PSMN2R0-25YLDX - PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
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Kurze Beschreibung
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für PSMN2R0-25YLDX
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PSMN2R0-25YLDX
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.09 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2485pF @ 12V
FET-Funktion : Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) : 115W(Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PSMN2R0-25YLDX
Datenblätter : PSMN2R0-25YLDX.pdf
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