PSMN2R0-25YLDX - PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
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Kurze Beschreibung
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1131035 Pieces
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Technische Daten für PSMN2R0-25YLDX
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PSMN2R0-25YLDX
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.09 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2485pF @ 12V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) :
115W(Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PSMN2R0-25YLDX
Datenblätter :
PSMN2R0-25YLDX.pdf
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