CSD17556Q5BT - MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CSD17556Q5BT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD17556Q5BT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.65V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7020pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : CSD1 , CSD175

Dokumente für CSD17556Q5BT

Datenblätter : CSD17556Q5BT.pdf

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