RV1C002UNT2CL - MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806
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MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806
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Technische Daten für RV1C002UNT2CL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RV1C002UNT2CL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VML0806
Paket / fall : 3-SMD, No Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RV1C002UNT2CL
Datenblätter : RV1C002UNT2CL.pdf
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