BUK652R1-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BUK652R1-30C,127
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BUK652R1-30C,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
168nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10918pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
263W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BUK652R1-30C,127
Datenblätter :
BUK652R1-30C,127.pdf
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