IRF510L - MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262

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MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
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Technische Daten für IRF510L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF510L
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRF510L

Datenblätter : IRF510L.pdf

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