IXTY1R4N120P - MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Hersteller Teilenummer

IXTY1R4N120P

Interne Teilenummer

AX-IXTY1R4N120P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

207820 Pieces

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Technische Daten für IXTY1R4N120P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTY1R4N120P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXTY , IXTY1R

Dokumente für IXTY1R4N120P

Datenblätter : IXTY1R4N120P.pdf

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