DMN3730UFB4-7B - MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

Hersteller Teilenummer

DMN3730UFB4-7B

Interne Teilenummer

AX-DMN3730UFB4-7B

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN3730UFB4-7B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3730UFB4-7B

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 750mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 64.3pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 470mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X2-DFN1006-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN3730UFB4-7B

Datenblätter : DMN3730UFB4-7B.pdf

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