NVMFS6B14NLWFT1G - MOSFET N-CH 100V 11A DFN5

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MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
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Technische Daten für NVMFS6B14NLWFT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVMFS6B14NLWFT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NVMFS , NVMFS6B1

Dokumente für NVMFS6B14NLWFT1G

Datenblätter : NVMFS6B14NLWFT1G.pdf

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