BSS119NH6433XTMA1 - MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Hersteller Teilenummer

BSS119NH6433XTMA1

Interne Teilenummer

AX-BSS119NH6433XTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5224070 Pieces

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Technische Daten für BSS119NH6433XTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSS119NH6433XTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 13µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20.9pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSS11 , BSS119NH

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Datenblätter : BSS119NH6433XTMA1.pdf

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