BSS119NH6433XTMA1 - MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5224070 Pieces
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Technische Daten für BSS119NH6433XTMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSS119NH6433XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20.9pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSS119NH6433XTMA1
Datenblätter :
BSS119NH6433XTMA1.pdf
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