NTHC5513T1G - MOSFET N/P-CH 20V 1206A

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MOSFET N/P-CH 20V 1206A
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Technische Daten für NTHC5513T1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTHC5513T1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : ChipFET™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTHC5513T1G

Datenblätter : NTHC5513T1G.pdf

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