TSM1N80CW RPG - MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TSM1N80CW RPG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM1N80CW RPG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.6 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TSM1N80CW RPG

Datenblätter : TSM1N80CW RPG.pdf

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