DMN2400UFB4-7 - MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
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MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
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Technische Daten für DMN2400UFB4-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2400UFB4-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 750mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 470mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN1006-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN2400UFB4-7
Datenblätter : DMN2400UFB4-7.pdf
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