FDC6301N_G - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDC6301N_G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
32711 Pieces
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Technische Daten für FDC6301N_G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDC6301N_G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9.5pF @ 10V
Leistung max :
700mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDC6301N_G
Datenblätter :
FDC6301N_G.pdf
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