FCD380N60E - MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FCD380N60E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCD380N60E
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCD380N60E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 106W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FCD380N60E
Datenblätter : FCD380N60E.pdf
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