IPDD60R050G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
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Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPDD60R050G7XTMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPDD60R050G7XTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
Serie : CoolMOS™ G7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 278W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-HDSOP-10-1
Paket / fall : 10-PowerSOP Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPDD60R050G7XTMA1
Datenblätter : IPDD60R050G7XTMA1.pdf
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