IPI90R1K0C3XKSA1 - MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

Hersteller Teilenummer

IPI90R1K0C3XKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPI90R1K0C3XKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8504 Pieces

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Technische Daten für IPI90R1K0C3XKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI90R1K0C3XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 370µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IPI90R1K0C3XKSA1.pdf

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