FQD8P10TF_NB82052 - MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

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MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
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Technische Daten für FQD8P10TF_NB82052

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQD8P10TF_NB82052
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Serie : QFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FQD8P , FQD8P10T

Dokumente für FQD8P10TF_NB82052

Datenblätter : FQD8P10TF_NB82052.pdf

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