MURT20010R - DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für MURT20010R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MURT20010R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für MURT20010R

Datenblätter : MURT20010R.pdf

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