FCD850N80Z - MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Hersteller Teilenummer

FCD850N80Z

Interne Teilenummer

AX-FCD850N80Z

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

429585 Pieces

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Technische Daten für FCD850N80Z

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD850N80Z

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Serie : SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1315pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCD850N80Z

Datenblätter : FCD850N80Z.pdf

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