AS4C8M16D1-5BCN - IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C8M16D1-5BCN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C8M16D1-5BCN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C8M16D1-5BCN
Datenblätter : AS4C8M16D1-5BCN.pdf
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