IRL40T209ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Hersteller Teilenummer

IRL40T209ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IRL40T209ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

133170 Pieces

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Technische Daten für IRL40T209ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRL40T209ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Serie : StrongIRFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.72 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 269nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOF-8-1

Paket / fall : 8-PowerSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRL40T209ATMA1

Datenblätter : IRL40T209ATMA1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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