SQJ570EP-T1_GE3 - MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

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MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
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Technische Daten für SQJ570EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQJ570EP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Leistung max : 27W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SQJ57 , SQJ570E

Dokumente für SQJ570EP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ570EP-T1_GE3.pdf

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