IRF6665TR1 - MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
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Technische Daten für IRF6665TR1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF6665TR1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ SH
Paket / fall : DirectFET™ Isometric SH
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF , IRF66

Dokumente für IRF6665TR1

Datenblätter : IRF6665TR1.pdf

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