IXFH60N65X2 - MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Hersteller Teilenummer

IXFH60N65X2

Interne Teilenummer

AX-IXFH60N65X2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

54050 Pieces

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Technische Daten für IXFH60N65X2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFH60N65X2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6180pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 780W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : -

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFH60N65X2

Datenblätter : IXFH60N65X2.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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