NVB60N06T4G - MOSFET N-CH 60V D2PAK

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MOSFET N-CH 60V D2PAK
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Technische Daten für NVB60N06T4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVB60N06T4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVB60N06T4G

Datenblätter : NVB60N06T4G.pdf

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