TC58BYG2S0HBAI4 - 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
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Kurze Beschreibung
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
97355 Pieces
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Technische Daten für TC58BYG2S0HBAI4
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TC58BYG2S0HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 4G (512M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : 25ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TC58BYG2S0HBAI4
Datenblätter : TC58BYG2S0HBAI4.pdf
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