1N5230B-TAP - DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N5230B-TAP
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1N5230B-TAP
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N5230B-TAP
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 4.7V
Toleranz : ±5%
Leistung max : 500mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 19 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 2V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200mA
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N5230B-TAP
Datenblätter : 1N5230B-TAP.pdf
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