SI1026X-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
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MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
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Technische Daten für SI1026X-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI1026X-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V
Leistung max : 250mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SC-89-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI1026X-T1-GE3
Datenblätter : SI1026X-T1-GE3.pdf
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