DMN3009SFGQ-7 - MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller Teilenummer

DMN3009SFGQ-7

Interne Teilenummer

AX-DMN3009SFGQ-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

955345 Pieces

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Technische Daten für DMN3009SFGQ-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3009SFGQ-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2nF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN3009SFGQ-7

Datenblätter : DMN3009SFGQ-7.pdf

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