NDD60N900U1-1G - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Hersteller Teilenummer

NDD60N900U1-1G

Interne Teilenummer

AX-NDD60N900U1-1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21832 Pieces

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Technische Daten für NDD60N900U1-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NDD60N900U1-1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 74W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : NDD60N900U1-1G.pdf

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