NP82N04NUG-S18-AY - MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NP82N04NUG-S18-AY
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NP82N04NUG-S18-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
82A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9750pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NP82N04NUG-S18-AY
Datenblätter :
NP82N04NUG-S18-AY.pdf
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