TK8A10K3,S5Q - MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
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Technische Daten für TK8A10K3,S5Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TK8A10K3,S5Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
Serie : U-MOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 18W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220SIS
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TK8A10K3,S5Q

Datenblätter : TK8A10K3,S5Q.pdf

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