SQD100N04-3M6_GE3 - MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Hersteller Teilenummer

SQD100N04-3M6_GE3

Interne Teilenummer

AX-SQD100N04-3M6_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SQD100N04-3M6_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQD100N04-3M6_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 136W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SQD100N04-3M6_GE3

Datenblätter : SQD100N04-3M6_GE3.pdf

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