IRF610LPBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

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MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
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Technische Daten für IRF610LPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF610LPBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF , IRF61

Dokumente für IRF610LPBF

Datenblätter : IRF610LPBF.pdf

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