APT1001RBN - MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-APT1001RBN
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21350 Pieces
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Technische Daten für APT1001RBN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT1001RBN
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Serie : POWER MOS IV®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APT1001RBN
Datenblätter : APT1001RBN.pdf
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