NVF6P02T3G - MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

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MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
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Technische Daten für NVF6P02T3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVF6P02T3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 8.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223 (TO-261)
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NVF , NVF6P

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Datenblätter : NVF6P02T3G.pdf

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