TK25E60X,S1X - MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

TK25E60X,S1X

Interne Teilenummer

AX-TK25E60X,S1X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

116025 Pieces

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Technische Daten für TK25E60X,S1X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK25E60X,S1X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Serie : DTMOSIV-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 180W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK25E60X,S1X

Datenblätter : TK25E60X,S1X.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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