APTM120H29FG - MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-APTM120H29FG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM120H29FG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM120H29FG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Leistung max : 780W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM120H29FG
Datenblätter : APTM120H29FG.pdf
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