AS4C128M32MD2-18BIN - IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C128M32MD2-18BIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C128M32MD2-18BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 134-VFBGA
Supplier Device Package : 134-FBGA (10x11.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C128M32MD2-18BIN
Datenblätter : AS4C128M32MD2-18BIN.pdf
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