SPS02N60C3 - MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3

Hersteller Teilenummer

SPS02N60C3

Interne Teilenummer

AX-SPS02N60C3

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8712 Pieces

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Technische Daten für SPS02N60C3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SPS02N60C3

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO251-3

Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SPS02N60C3

Datenblätter : SPS02N60C3.pdf

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