BYC30WT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BYC30WT-600PQ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYC30WT-600PQ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.75V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 22ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247-3
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYC30WT-600PQ
Datenblätter : BYC30WT-600PQ.pdf
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