IXTN110N20L2 - MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

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MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
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Technische Daten für IXTN110N20L2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTN110N20L2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
Serie : Linear L2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 735W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTN110N20L2

Datenblätter : IXTN110N20L2.pdf

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