FCD9N60NTM - MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Hersteller Teilenummer

FCD9N60NTM

Interne Teilenummer

AX-FCD9N60NTM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

316330 Pieces

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Technische Daten für FCD9N60NTM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD9N60NTM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Serie : SupreMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 92.6W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FCD , FCD9N

Dokumente für FCD9N60NTM

Datenblätter : FCD9N60NTM.pdf

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