EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2105ENG
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28483 Pieces
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Technische Daten für EPC2105ENG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2105ENG
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für EPC2105ENG
Datenblätter : EPC2105ENG.pdf
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