SPB10N10L G - MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SPB10N10L G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9246 Pieces
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Technische Daten für SPB10N10L G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SPB10N10L G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
154 mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 21µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
444pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SPB10N10L G
Datenblätter :
SPB10N10L G.pdf
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