TPC6006-H(TE85L,F) - MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

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MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
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Technische Daten für TPC6006-H(TE85L,F)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPC6006-H(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Serie : U-MOSIII-H
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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