RF08L6STE25 - DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RF08L6STE25

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RF08L6STE25
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 70ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : PMDS
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RF0 , RF08L

Dokumente für RF08L6STE25

Datenblätter : RF08L6STE25.pdf

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