IPP50R380CEXKSA1 - MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
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MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
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Technische Daten für IPP50R380CEXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP50R380CEXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 584pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 73W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPP50R380CEXKSA1
Datenblätter : IPP50R380CEXKSA1.pdf
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