A2G22S251-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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Technische Daten für A2G22S251-01SR3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : A2G22S251-01SR3
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 1.805GHz ~ 2.2GHz
Gewinnen : 17.7dB
Spannungs - Test : 48V
Aktuelle Bewertung : -
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 200mA
Leistung : 52dBm
Spannung - bewertet : 125V
Paket / fall : NI-400S-2S
Supplier Device Package : NI-400S-2S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für A2G22S251-01SR3
Datenblätter : A2G22S251-01SR3.pdf
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