BUZ80A - MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

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MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
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Technische Daten für BUZ80A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUZ80A
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BUZ80A

Datenblätter : BUZ80A.pdf

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